1.13 × 10¹⁵ Hz
ความถี่การแกว่งบีต (ω = (E₂-E₁)/ℏ)
กึ่งกลางกล่อง
ค่าคาดหวังตำแหน่ง ⟨x(t)⟩ แกว่งไป-มา
การแทรกสอดควอนตัม
สถานะไม่นิ่ง (Non-stationary)
8.4 × 10⁶ e⁻/s
อัตราการฉีดอิเล็กตรอนทะลุกำแพง
-15.4 fC
ประจุสะสมใน Floating Gate
กักเก็บประจุได้ > 10 ปี
ความคงทนหน่วยความจำ